ES622 系列TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)

ESDEMC Technology LLC 由 Wei Huang 于 2011 年 3 月在美國密蘇里州羅拉創(chuàng)立。ESDEMC 開發(fā) ESD 和 EMC 解決方案。公司致力于提供創(chuàng)新、先進、高質(zhì)量和具有成本效益的解決方案以及一般咨詢、測試服務(wù)和定制項目。產(chǎn)品包括充電設(shè)備模型 (CDM) 系統(tǒng)、電纜放電事件 (CDE) 系統(tǒng)、ESD 模擬器、脈沖衰減器、電流探頭、用于射頻發(fā)射/免疫的 TEM 電池、高壓直流電源、定制的高壓/射頻設(shè)計。ESDEMC Technology 自 2012 年以來一直是 ESD 協(xié)會的企業(yè)會員。

ES622 系列TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)是一種先進的 IV曲線表征系統(tǒng)，旨在模擬 ESD事件（TLP/VF-TLP/HMM/HBM/MM脈沖）及監(jiān)控器件（半導(dǎo)體、分立器件、電路模塊等）的高功率時域特性。相比前代的ES620及ES621型號，ES622 TLP系統(tǒng)規(guī)格更高，功能更多，擴展能力更強，軟件體驗更佳。

傳輸線脈沖(TLP)測試功能旨在滿足最新的ANSI/ESD STM5.5.1測試標(biāo)準(zhǔn)，將高質(zhì)量矩形脈沖注入被測器件，并記錄器件兩端的電壓和通過的電流。測試軟件可自動繪制脈沖IV曲線，并在納秒級時間窗口內(nèi)表征器件的瞬態(tài)響應(yīng)。設(shè)備集成了先進的自動器件故障檢測方法，例如：DC單點檢測（V或I）、靜態(tài)IV曲線、熔斷、擊穿和偏置源波動。

VF-TLP測試旨在模擬CDM類型的ESD事件，并捕捉高速（例如<100 ps上升時間）ESD注入下DUT兩端的電壓和通過DUT的電流。這種測試可用于研究器件的響應(yīng)速度和峰值鉗位電壓等特性。

人體金屬模型(HMM)測試功能是IEC61000-4-2系統(tǒng)級ESD的替代測試方法。它為低阻值設(shè)備提供了理想的等效波形，并消除了組件或晶圓級測試的許多IEC槍測試問題，例如可重復(fù)性差,槍尖注入位置不精確,阻抗不匹配,來自非屏蔽繼電器的EMI干擾以及需要大接地平面和耦合平面的特殊裝置要求等。

產(chǎn)品特點

■  可靈活配置的TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)

■  超緊湊的設(shè)計

■  具有多線程處理能力的超快測試速度

■  提供20 A、40A、50 A、100 A、125A、150 A型號（可定制）

■  先進的測試軟件，可程控、監(jiān)測系統(tǒng)測試設(shè)備和附件（開關(guān)壽命檢測、E-CAL模塊、示波器衰減調(diào)整提示等）

■  可拓展多種測試功能:VF-TLP、HMM、HBM、MM

■  多種故障自動檢測方式（DC單點檢測（V或I）或IV掃描、熔斷、擊穿和偏置電流變化）

■  軟件控制脈沖：單個脈沖、連續(xù)脈沖、IV曲線掃描測試

■  上升時間可選范圍：40 ps至1200 ns（取決于型號，可定制）

■  脈沖寬度可選范圍：0.5 ns至2000 ns（取決于型號，可定制）

產(chǎn)品應(yīng)用

■  ESD性能表征

■  晶圓/封裝級ESD測試

■  系統(tǒng)/電路模塊ESD測試

■  安全操作區(qū)（SOA）測試

■  充電恢復(fù)時間測試

■  太陽能電池板二極管特性

■  觸摸屏ITO微帶線熔斷和擊穿測試

相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)：

■ TLP / VF-TLP選項符合ANSI/ESD STM 5.5.1標(biāo)準(zhǔn)?HMM選項符合ANSI/ESD SP5.6標(biāo)準(zhǔn)

■ HBM選項符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001標(biāo)準(zhǔn)

■ MM選項符合ANSI/ESDA SP5.2標(biāo)準(zhǔn)

ES622 系列TLP脈沖IV曲線系統(tǒng)產(chǎn)品規(guī)格

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